次世代半導体リソグラフィ用感光材
次世代半導体リソグラフィ用感光材(レジスト材料)の開発を推進しています
半導体(LSI、メモリー)は性能向上を目指して、その加工寸法は20nm代から10nm代へと微細化が急速に進展しています。現在、半導体リソグラフィには光露光が使われており、最先端のリソグラフィには波長193nmの ArFエキシマレーザーが使われています。
さらなる微細化のために、より波長の短い13.5nmの極端紫外光(EUV)リソグラフィが期待されています。
当社は、近い将来実用化されると期待されているEUV用の感光材(レジスト)材料の開発に取り組み半導体産業の発展に貢献します。
半導体・液晶パネル用レジストの種類
スクロールできます| LCDパネル用 | 半導体用 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 光源 | g線 | i線 | g線 | i線 | KrF レーザー |
ArF レーザー |
ArF レーザー液浸 |
EUV |
| 波長 | 436nm | 365nm | 436nm | 365nm | 248nm | 193nm | 134nm（実効波長） | 13.5nm |
| 加工寸法 | ～2000nm | ～1000nm | ～150nm | ～90nm | ～65nm | ～45nm | ～32nm | ～16nm |
| 用途 | テレビ用パネル | 小型パネル | パワー半導体 | 汎用IC | 汎用LSI 家庭用LSI マイコン |
NANDメモリ DRAM 高性能CPU システムLSI マイコン |
先端NANDメモリ 先端DRAM 超高性能CPU 高性能システムLSI |
最先端メモリ・プロセッサー |
| 市場 | 新興国の需要拡大 | 新興国の需要拡大 | 緩やかに上昇 | 拡大 | 急拡大 | プロトタイプ露光機市販 レジスト材料開発中。 |
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