TOYO GOSEI 東洋合成工業株式会社


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研究開発
R&D

次世代半導体リソグラフィ用感光材

次世代半導体リソグラフィ用感光材(レジスト材料)の
開発を推進しています

半導体(LSI、メモリー)は性能向上を目指して、その加工寸法は20nm代から10nm代へと微細化が急速に進展しています。現在、半導体リソグラフィには光露光が使われており、最先端のリソグラフィには波長193nmの ArFエキシマレーザーが使われています。
 さらなる微細化のために、より波長の短い13.5nmの極端紫外光(EUV)リソグラフィが期待されています。
 当社は、近い将来実用化されると期待されているEUV用の感光材(レジスト)材料の開発に取り組み半導体産業の発展に貢献します。

半導体・液晶パネル用レジストの種類


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